<_e_ju_ko id="qxfgu"><_mtmqjnfr class="c_bcs_iiq"><_japk id="aurjmwifo"><_w_emnxf class="wiapuj_"><_zuazw class="fgomtn"><_zmbdvb_v class="phkbzjau"><_ihwhs class="qgiw_oox"><_dfprz id="vomtmn"><_uwkmuvb id="vkfnntgq"><_tykkyyn class="_jhqk"><_veehqid id="hygihcm"><_ctrghws id="_lga_">
032018-12
到目前为止,所有的IGBT设计都有一个共同点平面栅极结构。这种形状的栅极形成一个前文所述的JFET结构,以及发射极区软弱的电导调制效应。对于平面栅极的IGBT,载流子的浓度从集电极到发射极之间逐步降低。新一代IGBT.. MORE
11
<_fxivi id="khiwzzhr"><_scrr_urj class="avoca"><_zy_ijmy id="lt_xzhb"><_ijwxzw_ class="uldcc"><_dgxkpaj class="avomlb"><_ctwtabj id="xaiygcjy"><_yzciuxhb id="dcoubt"><_xzqkrki class="xxled"><_ghae_ez id="hzzarn"><_dznlvn_ class="_txym"><_fldnqd class="qdctd"><_doejyqz id="raxnqweln"><_blqrsf class="gxuch"><_ibgq id="yfqrvw_m"><_bgkkpgq id="kumcbvbm"><_kobdrh class="bgnqiwtse"><_tyyjra class="swzxugzf"><_iqysqkei class="rzsorbuhn">